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評(píng)價(jià)信息:
影響因子:0.34
總被引頻次: 667
北大期刊(中國(guó)人文社會(huì)科學(xué)期刊)統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)知網(wǎng)收錄(中)維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學(xué)文摘(美)SA 科學(xué)文摘(英)JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)Pж(AJ) 文摘雜志(俄)劍橋科學(xué)文摘國(guó)家圖書館館藏上海圖書館館藏
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趨勢(shì)與展望半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制備技術(shù)先進(jìn)封裝技術(shù)
a.來稿只要觀點(diǎn)明確,言之有物,論證嚴(yán)密,說理透徹。
b.內(nèi)文中的文字論述清楚明了,要使用規(guī)范詞語。
c.第一作者簡(jiǎn)介:姓名(出生年-),性別(民族——漢族可省略),籍貫(具體到縣級(jí)),職稱職務(wù),學(xué)位,研究方向(此項(xiàng)可省略)。
d.論文須附中、英文摘要;中文摘要200—300字,英文摘要150—200詞。另請(qǐng)擇出能反映全文主要內(nèi)容的關(guān)鍵詞2—4個(gè)。
e.參考文獻(xiàn)按出現(xiàn)的次序列在文末,并在文中對(duì)應(yīng)位置以右上角方括弧中的數(shù)字表示。詳細(xì)參考文獻(xiàn)格式,見往期雜志。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志月刊知識(shí)豐富,內(nèi)容廣泛,貼近大眾,自1976年創(chuàng)刊以來廣受好評(píng),注重視角的宏觀性、全局性和指導(dǎo)性,在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志“向讀者提供更好資訊,為客戶開拓更大市場(chǎng)”,是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求,本刊一如既往地堅(jiān)持客戶至上,服務(wù)第一,竭誠(chéng)向讀者提供多元化的信息。
、雜志被引次數(shù)
雜志發(fā)文量
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被本刊自己引用的次數(shù)
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FinFET刻蝕中刻蝕選擇比及離子損傷的控制與優(yōu)化
藍(lán)光發(fā)射鈣鈦礦薄膜的制備與光學(xué)特性
退火溫度對(duì)TiO2/ZnO復(fù)合納米棒光學(xué)性能的影響
硫化氣壓對(duì)溶膠-凝膠法制備CuSbS2薄膜性能的影響
封裝工藝對(duì)SiC功率模塊熱電性能的影響
28nm工藝制程SRAM高低溫失效分析
2019年主要欄目設(shè)置
陶瓷封裝倒裝焊器件熱學(xué)環(huán)境可靠性評(píng)估
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